IC MOS

IC MOS

Chúng tôi đã giải thích trong mạch tích hợp, IC lai về việc phân loại IC là IC lưỡng cực và IC đơn cực. Trong IC lưỡng cực, các thiết bị như BJT được sử dụng. Trong IC đơn cực, các thiết bị như Transitor hiệu ứng trường được sử dụng. IC bán dẫn oxit kim loại (MOS IC) dựa trên cấu trúc MOSFET đã tìm thấy ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực kỹ thuật số. Dưới đây là một số so sánh và ưu điểm so với IC lưỡng cực.

1. 
   
   Giảm Kích Thước: MOS ICs vượt trội trong các ứng dụng yêu cầu tích hợp quy mô lớn (LSI) và tích hợp quy mô rất lớn (VLSI) so với bipolar ICs. Chúng được sử dụng rộng rãi trong việc sản xuất vi xử lý và chip nhớ do diện tích bề mặt nhỏ hơn, chiếm khoảng 5% ít diện tích so với bipolar epitaxial double-diffused transistor ICs. Khái niệm này mở rộng sang MOS resistors, nơi diện tích có thể giảm xuống khoảng 1% so với các resistor diffused thông thường.
2. Quy Trình Chế Tạo Đơn Giản: Quy trình chế tạo của MOS ICs đáng chú ý đơn giản hóa và tiết kiệm chi phí hơn so với bipolar ICs. Quy trình chế tạo của MOS IC bao gồm một bước duy nhất làm nảy sinh các khu vực nguồn và dòng chảy, trong khi bipolar ICs yêu cầu gần như bốn bước.
   
   Quy trình của MOS ICs bao gồm việc nhiễm hai khu vực N-type đã được phủ lớp nặng vào một lớp nền P-type ít được phủ để tạo ra nguồn và dòng chảy. Kim loại điện cực cho nguồn và dòng chảy được etsit sau khi áp dụng một lớp silic điôxít, và quá trình chế tạo kết thúc bằng cách bay hơi kim loại cho các liên hệ và điện cực cổng đồng thời.
3. Cầu Nối và Đảo Đảo Cách: MOS ICs có lợi thế từ quá trình nảy sinh đồng thời giữa các thành phần khi nảy sinh cầu nối giữa nguồn và dòng chảy. Hiệu ứng có độ kháng của các khu vực nảy sinh cầu nối này rất nhỏ vì chúng nằm trong chuỗi với các điện trở tải giá trị lớn, thường xuyên khoảng 100K, thường được sử dụng với FETs.

Trong MOS ICs, mỗi nguồn và dòng chảy được cách ly lẫn nhau bởi các đường biên P-N được hình thành trong lớp nền P-type, loại bỏ nhu cầu về cách ly giữa các transistor MOS. Điều này là một ưu điểm lớn so với bipolar ICs. Những lợi ích bổ sung bao gồm chi phí mua thấp, chi phí sản xuất kinh tế, tiêu thụ điện năng thấp và mật độ đóng gói cao.

Hạn chế chính của MOS ICs là tốc độ hoạt động thấp hơn so với bipolar ICs, khiến chúng không thích hợp cho các ứng dụng với tốc độ rất cao.

IC MOS

Chúng tôi đã giải thích trong mạch tích hợp, IC lai về việc phân loại IC là IC lưỡng cực và IC đơn cực. Trong IC lưỡng cực, các thiết bị như BJT được sử dụng. Trong IC đơn cực, các thiết bị như Transitor hiệu ứng trường được sử dụng. IC bán dẫn oxit kim loại (MOS IC) dựa trên cấu trúc MOSFET đã tìm thấy ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực kỹ thuật số. Dưới đây là một số so sánh và ưu điểm so với IC lưỡng cực.

1. Giảm Kích Thước: MOS ICs vượt trội trong các ứng dụng yêu cầu tích hợp quy mô lớn (LSI) và tích hợp quy mô rất lớn (VLSI) so với bipolar ICs. Chúng được sử dụng rộng rãi trong việc sản xuất vi xử lý và chip nhớ do diện tích bề mặt nhỏ hơn, chiếm khoảng 5% ít diện tích so với bipolar epitaxial double-diffused transistor ICs. Khái niệm này mở rộng sang MOS resistors, nơi diện tích có thể giảm xuống khoảng 1% so với các resistor diffused thông thường.
2. Quy Trình Chế Tạo Đơn Giản: Quy trình chế tạo của MOS ICs đáng chú ý đơn giản hóa và tiết kiệm chi phí hơn so với bipolar ICs. Quy trình chế tạo của MOS IC bao gồm một bước duy nhất làm nảy sinh các khu vực nguồn và dòng chảy, trong khi bipolar ICs yêu cầu gần như bốn bước
   
   Quy trình của MOS ICs bao gồm việc nhiễm hai khu vực N-type đã được phủ lớp nặng vào một lớp nền P-type ít được phủ để tạo ra nguồn và dòng chảy. Kim loại điện cực cho nguồn và dòng chảy được etsit sau khi áp dụng một lớp silic điôxít, và quá trình chế tạo kết thúc bằng cách bay hơi kim loại cho các liên hệ và điện cực cổng đồng thời.
3. Cầu Nối và Đảo Đảo Cách: MOS ICs có lợi thế từ quá trình nảy sinh đồng thời giữa các thành phần khi nảy sinh cầu nối giữa nguồn và dòng chảy. Hiệu ứng có độ kháng của các khu vực nảy sinh cầu nối này rất nhỏ vì chúng nằm trong chuỗi với các điện trở tải giá trị lớn, thường xuyên khoảng 100K, thường được sử dụng với FETs.

Trong MOS ICs, mỗi nguồn và dòng chảy được cách ly lẫn nhau bởi các đường biên P-N được hình thành trong lớp nền P-type, loại bỏ nhu cầu về cách ly giữa các transistor MOS. Điều này là một ưu điểm lớn so với bipolar ICs. Những lợi ích bổ sung bao gồm chi phí mua thấp, chi phí sản xuất kinh tế, tiêu thụ điện năng thấp và mật độ đóng gói cao.

Hạn chế chính của MOS ICs là tốc độ hoạt động thấp hơn so với bipolar ICs, khiến chúng không thích hợp cho các ứng dụng với tốc độ rất cao.