Bộ Khuếch Đại Transistor Tích Hợp

Bộ Khuếch Đại Transistor Tích Hợp

Cách làm một bộ khuếch đại transistor tích hợp

Sau khi đã tìm hiểu về cơ bản của vi mạch tích hợp, quá trình sản xuất IC đồng tử và quy trình chế tạo của nó, chúng ta sẽ đi sâu vào việc thực hiện một mạch khuếch đại transistor hoàn chỉnh kèm theo các điện trở phân cực trên một wafer silicon bằng quy trình photolithographic. Trong quá trình này, việc đặt mẫu mask phải được thực hiện cẩn thận để bao gồm các kết nối bổ sung. Hình vẽ phía trên mô tả một sơ đồ mạch khuếch đại transistor tích hợp.

Dưới đây là bố cục IC tương ứng. Mạch này bao gồm năm thành phần — một tụ, ba điện trở và một transistor. Các thành phần này được kết nối với nhau và được tạo ra bằng cùng một quy trình mask, etsing và diffusion. Trong một IC thực tế, các yếu tố mạch sẽ không xuất hiện gần nhau như được thể hiện ở dưới đây.

Thay vào đó, các yếu tố sẽ được sắp xếp sao cho tận dụng tối đa không gian có sẵn và giảm độ dài của kết nối càng ít càng tốt. Sự sắp xếp liền kề được sử dụng ở đây chỉ là cho tiện lợi và làm rõ ý. Diện tích tổng cả chip được bao phủ bởi bộ khuếch đại này là một phần rất nhỏ của một mm vuông.