IRF260 là một loại transistor MOSFET với đặc tính chịu được điện áp Drain-Source (VDS) cao và dòng Drain-Source (IDS) lớn. Nó có thể chịu được điện áp VDS tối đa là 200V và dòng IDS tối đa là 50A. Nó được sản xuất bởi nhiều nhà sản xuất điện tử trên thế giới như Infineon, Fairchild Semiconductor, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Vishay, và nhiều hãng khác.
Thiết bị này được sử dụng trong nhiều ứng dụng điện tử như khuếch đại công suất, điều khiển động cơ, chuyển đổi nguồn, điều khiển đèn LED, mạch tăng áp, bù tải, mạch xung RF, và nhiều ứng dụng khác. IRF260 là một trong những transistor MOSFET được ưa chuộng và sử dụng phổ biến trong các ứng dụng công nghiệp và điện tử.
>>> Quý khách hàng cần đặt mua linh kiện điện tử vui lòng tham khảo tại ĐÂY
Điện áp Drain-Source tối đa (VDS): 200V
Điện áp Gate-Source tối đa (VGS): ±20V
Dòng Drain-Source liên tục tối đa (IDS): 50A
Điện trở Drain-Source RDS(on): 0.04Ω
Công suất tiêu thụ tối đa (PD): 300W
Nhiệt độ hoạt động tối đa (Tj): 175°C
Dung lượng đầu vào và đầu ra (Ciss, Coss, Crss): 1700pF, 500pF, 180pF
Thời gian tắt và mở (tr, tf): 45ns, 130ns
Lưu ý rằng, các thông số kỹ thuật có thể khác nhau tùy thuộc vào nhà sản xuất và phiên bản sản phẩm cụ thể.
Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet IRF260
Sơ đồ chân của IRF260 gồm có ba chân: Drain (D), Source (S) và Gate (G). Các chân này có các chức năng như sau:
Drain (D): Là chân nối tới cực dương của đầu ra và được kết nối với thiết bị tải (như động cơ, tải điện, mạch tăng áp...) hoặc nguồn điện dương.
Source (S): Là chân nối tới cực âm của đầu ra và được kết nối với đất hoặc nguồn điện âm.
Gate (G): Là chân điều khiển của transistor MOSFET, được kết nối tới nguồn điện điều khiển (như bộ điều khiển, vi điều khiển...) để điều khiển dòng điện qua kênh n-channel của MOSFET.
Khi điện áp được áp dụng tới chân Gate, MOSFET sẽ trở nên dẫn điện giống như một công tắc, cho phép dòng điện chảy từ Drain tới Source. Cường độ dòng điện được điều khiển bởi điện áp áp dụng tới chân Gate. Khi điện áp Gate bằng 0V hoặc nhỏ hơn ngưỡng Vth (ngưỡng kích hoạt), MOSFET sẽ ngắt dòng điện và không cho phép dòng điện chảy qua Drain và Source.
Lưu ý rằng, sơ đồ chân có thể khác nhau tùy thuộc vào phiên bản sản phẩm và nhà sản xuất.
Hiện nay trên thị trường có một số loại transistor MOSFET có thể thay thế cho IRF260 tùy thuộc vào yêu cầu của ứng dụng cụ thể như IRF540, IRF530, IRF2807, STP55NF06.
Lưu ý rằng, trước khi thay thế bất kỳ loại transistor MOSFET nào, người sử dụng nên kiểm tra kỹ càng các thông số kỹ thuật để đảm bảo tính tương đương và đáp ứng yêu cầu của ứng dụng.
IRF260 là một loại transistor MOSFET công suất cao, được sử dụng trong nhiều ứng dụng điện tử công suất. Một số ứng dụng chính bao gồm:
Điều khiển tốc độ động cơ: transistor có khả năng chịu được dòng điện và điện áp cao, nên được sử dụng để điều khiển tốc độ động cơ trong các thiết bị điện tử công suất lớn như máy bơm, máy nén khí, máy cắt...
Biến tần: thiết bị này được sử dụng trong các mạch biến tần công suất lớn để chuyển đổi dòng điện xoay chiều thành dòng điện một chiều hoặc ngược lại.
Lọc nguồn: transistor có thể được sử dụng để lọc tín hiệu nguồn trong các mạch đầu ra công suất lớn.
Mạch điều khiển đèn LED: thiết bị này có thể được sử dụng trong các mạch điều khiển đèn LED công suất lớn.
Các ứng dụng trong công nghiệp: transistor có thể được sử dụng trong các thiết bị công nghiệp như tủ điều khiển, mạch chuyển đổi tần số, máy hàn, máy cắt plasma...
Tùy thuộc vào tính chất của ứng dụng, người sử dụng có thể lựa chọn phiên bản và thông số kỹ thuật phù hợp để đảm bảo hoạt động tốt và đáp ứng yêu cầu của ứng dụng.
Hotline: 0979 466 469