IRF9630 là transistor hiệu ứng trường công suất cổng silicon chế độ tăng cường kênh P 6.5A 200V. Nó là MOSFET công suất tiên tiến được thiết kế, thử nghiệm và đảm bảo chịu được mức năng lượng quy định trong chế độ hoạt động do đánh thủng kiểu thác. MOSFET công suất này được thiết kế cho các ứng dụng như bộ điều chỉnh chuyển mạch, bộ chuyển đổi chuyển mạch, trình điều khiển động cơ, trình điều khiển relay và trình điều khiển cho các thiết bị chuyển mạch công suất cao khác. Trở kháng đầu vào cao cho phép nó hoạt động trực tiếp từ mạch tích hợp.
Hướng MOSFET phía trước mặt với các chân hướng xuống dưới thì sơ đồ chân theo thứ tự từ trái qua phải lần lượt là chân G, chân D và chân S.
6,5A, 200V
RDS (ON) = 0,800Ω
Định mức năng lượng kiểu thác xung đơn
SOA là công suất tiêu thụ giới hạn
Tốc độ chuyển mạch nano giây
Đặc điểm chuyển tiếp tuyến tính
Trở kháng đầu vào cao
Loại thiết kế: IRF9630
Loại transistor: MOSFET
Loại kênh điều khiển: Kênh P
Id (A) |
Pd (W) |
Vds (max) |
Rds (on) |
Vgs (max) |
6.5 |
75 |
200 |
0.8 |
20 |
Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet IRF9630
IRF034, IRF044, IRF044SMD, IRF054, IRF054SMD, IRF100B201
Bộ điều chỉnh công tắc
Bộ chuyển đổi công tắc
Trình điều khiển động cơ
Trình điều khiển relay