Ưu nhược điểm của IGBT

Thuật ngữ IGBT là viết tắt của transistor lưỡng cực cổng cách điện. IGBT đã được phát triển bằng cách kết hợp những đặc tính tốt nhất của cả BJT và MOSFET. Do đó IGBT có trở kháng đầu vào cao như MOSFET và có tổn hao công suất trạng thái bật thấp như BJT. Tất cả những đặc tính này đã làm cho IGBT rất phổ biến trong điện tử công suất. Trong bài viết này Điện Tử Tương Lai sẽ phân tích một số ưu điểm và nhược điểm của IGBT để bạn hiểu rõ hơn về thiết bị này.

Ưu điểm của IGBT

Mạch điều khiển đơn giản

Điện trở bật thấp

Công suất điện áp cao

Tốc độ chuyển đổi nhanh

Dễ dàng điều khiển

Tổn hao chuyển mạch thấp

Công suất tản nhiệt trạng thái bật thấp

Yêu cầu điều khiển cổng thấp

Tốc độ chuyển mạch cao

Trở kháng đầu vào cao

Thiết bị điều khiển điện áp

Yêu cầu mạch snubber nhỏ

Nó có khả năng dẫn dòng điện vượt trội

Dễ dàng bật và tắt

Nó có khả năng chặn thuật và nghịch tuyệt vời

Tần số chuyển mạch cao hơn BJT

Tăng cường dẫn truyền do bản chất lưỡng cực

IGBT có điện áp rơi ở trạng thái bật rất thấp do mật độ dòng trạng thái bật và điều chế độ dẫn vượt trội. Vì vậy, chi phí có thể được giảm và kích thước chip nhỏ hơn.

Nhược điểm của IGBT

Nó không thể chặn điện áp ngược cao

Thời gian tắt cao

Giá cao

Tốc độ chuyển đổi thấp hơn so với MOSFET công suất và cao hơn so với BJT. Vì vậy, dòng điện cực thu do các hạt tải điện thiểu số nên tốc độ tắt rất chậm. Có khả năng bị kẹt do cấu trúc bên trong của thiết bị thyristor PNPN