Tìm hiểu IRFZ48N

Trong bài viết này Điện Tử Tương Lai sẽ chia sẻ về sơ đồ chân của transistor IRFZ48N, công dụng, tương đương, tính năng và các chi tiết quan trọng khác về thiết bị MOSFET nguồn đóng gói TO-220 này.

IRFZ48N là gì

IRFZ48N là MOSFET công suất được sản xuất trong gói transistor TO-220. Nó là transistor siêu bền và có thể được sử dụng cho các mục đích chung trong nhiều ứng dụng khác nhau. Hơn nữa, transistor này sở hữu nhiều tính năng đáng tin cậy cho nhiều ứng dụng thương mại ví dụ như khả năng chuyển mạch nhanh, khả năng tồn tại nhiệt độ cao lên đến 175 độ C, điện trở từ cực máng đến cực nguồn rất thấp ở trạng thái bật chỉ 14mΩ, bảo vệ ESD tối đa 2 kilo vôn, v.v.

Hơn nữa, dòng cực máng liên tục tối đa của transistor là 64A có nghĩa là nó có thể điều khiển tải lên đến 64A và điện áp tối đa từ cực máng đến cực nguồn là 55V có nghĩa là có thể điều khiển tải lên đến 55V với transistor này. Công suất tiêu thụ tối đa của transistor là 130W và giới hạn nhiệt độ hàn tối đa của thiết bị là 300 độ C trong 10 giây.

>>> Quý khách hàng cần đặt mua linh kiện vui lòng tham khảo mua linh kiện điện tử ở Thủ Đức

Tính năng và thông số kỹ thuật IRFZ48N

Loại gói: TO-220

Loại transistor: Kênh N

Điện áp tối đa từ cực máng đến cực nguồn: 55V

Điện áp tối đa từ cực cổng đến cực nguồn: ± 20V

Dòng cực máng tối đa liên tục: 64A

Dòng xung cực máng tối đa: 210A

Công suất tiêu thụ tối đa: 130W

Điện trở cực máng đến nguồn ở trạng thái bật (bật RDS): 14mΩ

Nhiệt độ lưu trữ và hoạt động tối đa: -55 đến +175 độ C.

Sơ đồ chân IRFZ48N

Hướng MOSFET IRFZ48N phía trước mặt thì sơ đồ chân theo thứ tự từ trái qua phải lần lượt là chân G, chân D và chân S như hình bên dưới

Thay thế và tương đương của IRFZ48N

IRFZ44A, IRLZ44N, NDP7061, RFP70N06, SUP70N06-14, BUK7514-55, BUK9514-55, BUZ100S, BUZ100SL, BUZ110SL, IRF1010, MTP52N06V, MTP52N06VL, BUK7514-55, BUK9514-55, BUZ100S, BUZ100SL, BUZ110SL, IRF1010, MTP52N06V, MTP52N06VL, MTP55N06Z, SMP, SN706706706706706MP, RF6706706706706MP, RF6706706706706706MP 14.

Nơi sử dụng và cách sử dụng IRFZ48N

Transistor IRFZ48N được chế tạo để sử dụng trong nhiều ứng dụng mục đích chung, do đó bạn có thể sử dụng transistor này trong hầu hết các ứng dụng nằm dưới định mức của nó, ngoài ra nó còn có thể hoạt động tốt trong một số ứng dụng như chuyển đổi nguồn điện, UPS hoặc các ứng dụng yêu cầu bảo vệ ESD điện áp cao. Ngoài ra, nó cũng có thể được sử dụng cho mục đích khuếch đại âm thanh.

Các ứng dụng

Mạch sạc pin

Mạch BMS

Nguồn chuyển đổi chế độ

Bộ chuyển đổi DC sang DC

Bộ sạc năng lượng mặt trời và nguồn cung cấp điện

Cách chạy lâu dài an toàn trong mạch

Hiệu suất tuổi thọ cao của linh kiện cũng là một yếu tố rất quan trọng cần xem xét khi thiết kế mạch hoặc sử dụng nó trong một mạch, do đó Điện Tử Tương Lai khuyên bạn không nên sử dụng linh kiện trên định mức tối đa, điều này làm cho tuổi thọ của linh kiện ngắn và cũng làm giảm hiệu suất theo thời gian. Điện Tử Tương Lai đề nghị sử dụng linh kiện bên dưới định mức tối đa ít nhất là 20%. Tương tự áp dụng cho IRFZ48N MOSFET, dòng cực máng liên tục tối đa là 64A, do đó không điều khiển tải quá 51A, điện áp tối đa từ cực máng đến cực nguồn là 55V do đó không điều khiển tải hơn 44V, sử dụng bộ tản nhiệt phù hợp với transistor này và luôn sử dụng hoặc bảo quản thiết bị này ở nhiệt độ trên -55 độ C và dưới +175 độ C.