2N7000 thông số kỹ thuật datasheet

2N7000 là gì

2N7000 là transistor hiệu ứng trường chế độ nâng cao kênh N được sản xuất bằng công nghệ DMOS, mật độ tế bào cao. Nó được thiết kế để giảm thiểu điện trở trạng thái bật đồng thời cung cấp hiệu suất chuyển mạch nhanh, đáng tin cậy và chắc chắn. Nó có thể được sử dụng trong hầu hết các ứng dụng yêu cầu lên đến 400 mAdc và có thể cung cấp dòng xung lên đến 2 A. Nó đặc biệt thích hợp cho các ứng dụng điện áp thấp, dòng điện thấp, chẳng hạn như điều khiển động cơ servo nhỏ, trình điều khiển cổng MOSFET công suất, và các ứng dụng chuyển mạch khác.

>>> Quý khách hàng đặt mua linh kiện vui lòng tham khảo cửa hàng linh kiện điện tử Thủ Đức

Sơ đồ chân 2N7000

Đặc tính thông số kỹ thuật 2N7000 

MOSFET kênh N tín hiệu nhỏ

Điện áp drain-source (VDS) là 60V

Dòng drain liên tục (ID) là 200mA

Dòng drain xung (đỉnh ID) là 500mA

Điện áp ngưỡng gate (VGS-th) là 3V

Điện áp source-gate là (VGS) là ± 20V

Thời gian bật và tắt mỗi lần là 10ns.

Có gói To-92

Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet 2N7000 

MOSFET kênh N tương đương 2N7000

BS170, NTE 491, IRF3205, IRF540N, IRF9Z34N, IRFP250N, IRFZ44.

Nơi sử dụng 2N7000

2N7000 là một MOSFET kênh N tín hiệu nhỏ. MOSFET là công tắc điện tử giống như transistor, nhưng có dòng điện và điện áp cao hơn. 2N7000 MOSFET có thể được sử dụng để chuyển đổi tải hoạt động trên dưới 60V (VDS) và 200mA (ID). MOSFET này có gói TO-92 nhỏ gọn và có điện áp ngưỡng là 3V, do đó nếu bạn đang tìm kiếm một MOSFET nhỏ để chuyển đổi tải thì nó có thể phù hợp với mục đích của bạn.

Cách sử dụng 2N7000

Một Mosfet có ba chân Drain, source và Gate. Dòng điện luôn đi vào qua Drain và đi ra qua Source. Chân gate hoạt động như một công tắc để BẬT hoặc TẮT MOSFET. Nếu gate được kết nối với Ground thì mosfet tắt tức là sẽ không có kết nối giữa Drain và Source (mở). Nếu gate được cung cấp điện áp gate-source (VGS) thì MOSFET sẽ BẬT, tức là chân drain và chân source sẽ được kết nối với nhau (Đóng). Do đó, bằng cách điều khiển điện áp (VGS), chúng ta có thể chuyển đổi Mosfet do đó MOSFET là một thiết bị được điều khiển bằng điện áp.

Điện áp gate-source (VGS) là một thông số quan trọng khi sử dụng transistor. Đối với transistor này, VGS là 20V, do đó khi chúng ta cung cấp điện áp này, MOSFET sẽ đóng hoàn toàn. Bất kỳ giá trị nào giữa 20V sẽ làm cho MOSFET đóng một phần do đó tạo ra kết nối một phần. Tải được chuyển đổi bởi MOSFET có thể lên đến 60V (VDS) và có thể tiêu thụ tối đa 200mA (ID).

Như chúng ta biết điện áp gate-source của Mosfet này là 20V, do đó sử dụng 20V để BẬT MOSFET. Khi công tắc gate mở, chân gate của Mosfet phải được nối với ground để tắt Tải, do đó chúng ta sử dụng điện trở kéo xuống 10K (RGS) để tắt MOSFET sau khi nó được BẬT. Điện trở RG là điện trở hạn chế dòng điện giới hạn dòng gate yêu cầu. Nếu tải được điều khiển bởi Mosfet là tải cảm ứng như động cơ thì bắt buộc phải sử dụng Diode Flywheel để xả điện tích tích lũy bởi cuộn cảm ứng một cách an toàn.

Các ứng dụng:

Chuyển đổi tải điện áp cao

Thường được sử dụng để chuyển đổi tín hiệu nhỏ

Bộ điều chỉnh độ sáng hoặc đèn chớp LED

Bộ converter hoặc inverter analog công suất thấp