MMBT5551 là transistor silicon NPN trong một vỏ gắn bề mặt loại SOT-23 được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng điện áp cao.
>>> Quý khách hàng cần đặt mua linh kiện vui lòng tham khảo cửa hàng linh kiện điện tử Thủ Đức
Loại: NPN
Điện áp cực góp cực phát: 160 V
Điện áp cực góp cực gốc: 180 V
Điện áp cực phát cực gốc: 6 V
Dòng điện cực góp: 0,6 A
Tiêu thụ cực góp: 0,35 W
Độ lợi dòng điện DC (hfe): 80 đến 250
Tần số chuyển đổi: 100 MHz
Tiếng ồn: 8 dB
Phạm vi nhiệt độ vận hành và lưu trữ: -55 đến +150 ° C
Đóng gói: SOT-23
Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet MMBT5551
Sơ đồ chân của transistor MMBT5551 với các chân 1, chân 2 và chân 3 tương ứng là chân B, chân E và chân C.
Transistor MMBT5551 được ký hiệu là 3S.
Transistor PNP bổ sung cho MMBT5551 là MMBT5401.
Bạn có thể thay thế MMBT5551 bằng 2N5551S hoặc KST5551.
Hotline: 0979 466 469