IRFP460 là MOSFET công suất kênh N của Vishay, được thiết kế để cung cấp sự kết hợp tốt nhất giữa điện trở thấp và chuyển mạch nhanh. Đây là một thiết bị điện áp cao với sự đánh thủng cực máng cực nguồn 500V đi kèm trong một gói TO-247 và điện trở bật thấp 0,27Ω ở điện áp cổng 10V. Với điện áp đánh thủng cao, MOSFET này có thể được sử dụng trong các bộ chuyển đổi công tắc với đầu vào điện áp chính, bộ khuếch đại điện áp cao và trình điều khiển động cơ.
>>> Quý khách hàng cần đặt mua linh kiện vui lòng tham khảo bán linh kiện điện tử tại TPHCM
MOSFET công suất kênh N
Điện áp đánh thủng cực máng cực nguồn: 500V
Dòng cực máng liên tục: 20A
Điện dung đầu vào: 4.2nF
Ngưỡng cổng: 2V đến 4V
Có gói TO-247
Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet IRFP460
Hướng MOSFET phía trước mặt với các chân hướng xuống dưới thì sơ đồ chân theo thứ tự từ trái qua phải lần lượt là chân G, chân D và chân S.
IRF3205, IRF250, IRF840
MOSFET là một thiết bị điều khiển bằng điện áp, có nghĩa là phải có điện áp ở cổng (đối với nguồn) để nó bật. Trong trường hợp này, IRFP460 có điện áp ngưỡng cổng từ 2V đến 4V và nó chỉ bắt đầu dẫn điện ở điện áp này. Để đạt được điện trở được chỉ định trên 0,27Ω, điện áp cổng phải ít nhất là 10V. Giới hạn tối đa của điện áp cổng là ± 20V, vượt quá mức đó cổng có thể bị hỏng.
Các MOSFET nguồn như IRFP460 thường được sử dụng trong cấu hình chuyển mạch phía thấp.
Bộ chuyển đổi DC-DC
Trình điều khiển động cơ
Bộ khuếch đại công suất
Chuyển đổi nguồn
Hotline: 0979 466 469