IRFB3207 là MOSFET nguồn HEXFET 75V đơn kênh N trong gói TO-220AB
>>> Quý khách hàng cần đặt mua linh kiện điện tử vui lòng tham khảo tại ĐÂY
Loại: kênh n
Điện áp đánh thủng cực máng cực nguồn: 75 V
Điện áp tối đa cực cổng cực nguồn: ± 20 V
Điện trở trạng thái bật cực máng cực nguồn tối đa: 4,5 mΩ
Dòng cực máng liên tục: 180 A
Tổng điện tích cực cổng: 180 nC
Công suất tiêu tán: 330 W
Gói: TO-220AB
Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet IRFB3207
Hướng transistor phía trước mặt với các chân hướng xuống dưới thì sơ đồ chân theo thứ tự từ trái qua phải lần lượt là chân G, chân D và chân S.

Bạn có thể thay thế IRFB3207 bằng IRFB3077, IRFB3077G, IRFB4110, IRFB4110G
Chỉnh lưu đồng bộ hiệu quả cao trong SMPS
Nguồn điện liên tục
Chuyển đổi nguồn tốc độ cao
Mạch chuyển mạch cứng và tần số cao
Hotline: 0979 466 469