IRF9610 là MOSFET công suất kênh P, chìa khóa cho dòng transistor công suất MOSFET tiên tiến của Vishay. Hình học hiệu quả và quá trình xử lý độc đáo của thiết kế MOSFET công suất đạt được điện trở ở trạng thái rất thấp kết hợp với độ dẫn truyền cao và độ bền của thiết bị cực cao. Gói TO-220 được ưa chuộng rộng rãi cho tất cả các ứng dụng thương mại công nghiệp ở mức công suất tiêu thụ xấp xỉ 50W. Khả năng chịu nhiệt thấp và chi phí gói thấp của TO-220 góp phần vào việc chấp nhận rộng rãi của nó trong toàn ngành.
>>> Quý khách hàng cần đặt mua linh kiện điện tử vui lòng tham khảo tại ĐÂY
Loại: kênh p
Điện áp đánh thủng cực máng đến cực nguồn: -200 V
Điện áp cực cổng đến cực nguồn tối đa: ± 20 V
Điện trở trạng thái bật cực máng đến cực nguồn tối đa: 1,8 mΩ
Dòng cực máng liên tục: 3 A
Tổng điện tích cực cổng: 11 nC
Công suất tiêu tán: 20 W
Gói: TO-220AB
Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet IRF9610
Hướng MOSFET phía trước mặt với các chân hướng xuống dưới thì sơ đồ chân theo thứ tự từ trái qua phải lần lượt là chân G, chân D và chân S.
IRF034, IRF044, IRF044SMD, IRF054, IRF054SMD, IRF100B201
Hotline: 0979 466 469