IRF820 là MOSFET công suất kênh N được thiết kế bằng cách sử dụng quy trình MESH OVERLAY dựa trên bố cục dải hợp nhất. Công nghệ này phù hợp và cải thiện hiệu suất so với các linh kiện tiêu chuẩn từ nhiều nguồn khác nhau.
>>> Quý khách hàng cần đặt mua linh kiện điện tử vui lòng tham khảo tại ĐÂY
Loại: kênh n
Điện áp đánh thủng cực máng đến cực nguồn: 500 V
Điện áp cực cổng tới cực nguồn tối đa: ±20 V
Điện trở trạng thái bật cực máng cực nguồn tối đa: 3 mΩ
Dòng cực máng liên tục: 2,5 A
Tổng điện tích cực cổng: 24 nC
Công suất tiêu tán: 50 W
Gói: TO-220AB
Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet IRF820
Hướng MOSFET phía trước mặt với các chân hướng xuống dưới thì sơ đồ chân theo thứ tự từ trái qua phải lần lượt là chân G, chân D và chân S.

Bạn có thể thay thế IRF820 bằng IRF820A, IRF830, IRF830A, IRF830B, IRF840, IRF840A, IRF840LC, IRFB13N50A, IRFB17N50L, IRFB9N60A, IRFB9N65A, IRFBC30, IRFBC30A, IRFBC40, IRFBC40A, IRFBE30LC.
Dòng điện cao
Chuyển đổi tốc độ cao
Nguồn Chế Độ Chuyển Đổi (SMPS)
Hotline: 0979 466 469