MOSFET IRF8010

IRF8010 là gì

IRF8010 là MOSFET công suất kênh N trong gói TO-220. Dòng MOSFET công suất IR sử dụng các quy trình silicon đã được chứng minh cung cấp cho các nhà thiết kế danh mục thiết bị đa dạng để hỗ trợ các ứng dụng khác nhau như động cơ DC, biến tần, SMPS, chiếu sáng, công tắc tải cũng như các ứng dụng chạy bằng pin. Các gói lắp trên bề mặt và các gói xuyên lỗ với các footprint tiêu chuẩn công nghiệp dễ thiết kế.

>>> Quý khách hàng đặt mua linh kiện điện tử vui lòng tham khảo tại ĐÂY

Đặc tính thông số kỹ thuật

Loại: kênh n

Điện áp đánh thủng cực máng đến cực nguồn: 100 V

Điện áp cực cổng đến cực nguồn tối đa: ± 20 V

Điện trở trạng thái bật cực máng đến cực nguồn tối đa: 15 mΩ

Dòng cực máng liên tục: 80 A

Tổng điện tích cực cổng: 81 nC

Công suất tiêu tán: 260 W

Gói: TO-220AB

Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet IRF8010 

Sơ đồ chân

Hướng MOSFET phía trước mặt với các chân hướng xuống dưới thì sơ đồ chân theo thứ tự từ trái qua phải lần lượt là chân G, chân D và chân S.

Thay thế và tương đương

Bạn có thể thay thế IRF8010 bằng IRFB4110, IRFB4110G, IRFB4115, IRFB4115G, IRFB4310, IRFB4310G, IRFB4321, IRFB4321G