MOSFET IRF3808

IRF3808 là gì

IRF3808 MOSFET công suất HEXFET tiên tiến này sử dụng các kỹ thuật xử lý mới nhất để đạt được điện trở cực thấp trên mỗi vùng silicon. Các tính năng bổ sung của MOSFET điện HEXFET này là nhiệt độ hoạt động của mối nối 175°C, RθJC thấp, tốc độ chuyển đổi nhanh và định mức kiểu thác lặp đi lặp lại được cải thiện. Sự kết hợp này làm cho thiết bị này trở thành một lựa chọn cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy để sử dụng trong nhiều ứng dụng.

>>> Quý khách hàng cần đặt mua linh kiện điện tử vui lòng tham khảo tại ĐÂY

Đặc tính thông số kỹ thuật

Loại: kênh n

Điện áp đánh thủng cực máng đến cực nguồn: 75 V

Điện áp từ cực cổng đến cực nguồn tối đa: ±20 V

Điện trở trạng thái bật cực máng đến cực nguồn tối đa: 7 mΩ

Dòng cực máng liên tục: 140 A

Tổng điện tích cực cổng: 150 nC

Công suất tiêu tán: 330 W

Gói: TO-220AB

Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet IRF3808

Sơ đồ chân

Hướng MOSFET phía trước mặt với các chân hướng xuống dưới thì sơ đồ chân theo thứ tự từ trái qua phải lần lượt là chân G, chân D và chân S.

Thay thế và tương đương

Bạn có thể thay thế IRF3808 bằng IRF2907Z, IRFB3077, IRFB3077G, IRFB3207, IRFB4110, IRFB4110G, IRFB4310