IRF3415 là MOSFET công suất kênh N với chỉnh lưu sử dụng cho các kỹ thuật xử lý tiên tiến để đạt được điện trở cực thấp trên mỗi vùng silicon. Lợi ích này kết hợp với tốc độ chuyển mạch nhanh và thiết kế thiết bị chắc chắn cung cấp cho nhà thiết kế một thiết bị cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy để sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau. Gói TO-220 được ưa chuộng rộng rãi cho tất cả các ứng dụng thương mại công nghiệp ở mức công suất tiêu thụ xấp xỉ 50W. Khả năng chịu nhiệt thấp và chi phí đóng gói thấp của TO-220 góp phần làm cho nó được chấp nhận rộng rãi.
>>> Quý khách hàng cần đặt mua linh kiện điện tử vui lòng tham khảo tại ĐÂY
Loại: kênh n
Điện áp đánh thủng cực máng đến cực nguồn: 150 V
Điện áp cực cổng đến cực nguồn tối đa: ± 20 V
Điện trở trạng thái bật cực máng cực nguồn tối đa: 42 mΩ
Dòng cực máng liên tục: 43 A
Tổng điện tích cực cổng: 133,3 nC
Công suất tiêu tán: 200 W
Gói: TO-220AB
Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet IRF3415
Hướng MOSFET phía trước mặt với các chân hướng xuống dưới thì sơ đồ chân theo thứ tự từ trái qua phải lần lượt là chân G, chân D và chân S.
Bạn có thể thay thế IRF3415 bằng IRFB260N, IRFB4115, IRFB4115G, IRFB4127, IRFB4233, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4332, IRFB52N15D, IRFB61N15D
Hotline: 0979 466 469