H25R1203

H25R1203 là gì

H25R1203 là một loại IGBT hay transistor mạch tích hợp được sử dụng trong các ứng dụng điện công suất cao, có thể chịu được điện áp và dòng điện lớn. Thiết bị này được sản xuất bởi hãng Infineon Technologies với điện áp định mức là 1200V, dòng định mức là 50A và khả năng chịu nhiệt độ cao lên đến 175 độ C.

Transistor này được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng công nghiệp, chẳng hạn như điều khiển động cơ, biến tần, hệ thống năng lượng mặt trời, ổn áp điện, hệ thống UPS, và các hệ thống xử lý và chuyển đổi điện năng khác. Với các tính năng như khả năng chịu nhiệt, ổn định và độ bền cao, nó là một thành phần quan trọng trong các ứng dụng công nghiệp hiện đại.

>>> Đặt hàng linh kiện, giao hàng tận nơi trên toàn quốc, xem chi tiết tại ĐÂY

Đặc tính thông số kỹ thuật

Điện áp định mức (Vces): 1200V

Dòng định mức (Ic): 50A

Điện áp cực cổng cực phát (Vge): ±20V

Công suất tiêu thụ (Pd): 320W

Điện trở chuyển mạch (Rce(on)): 0.18ohm

Tần số chuyển mạch (f): 10kHz

Khả năng chịu nhiệt độ tối đa (Tjmax): 175 độ C

Số lượng chân: 3 chân

Gói đóng gói: TO-247

Các đặc tính này cho thấy IGBT này có khả năng chịu được điện áp và dòng điện lớn, tiêu thụ công suất tối đa là 320W và có thể chịu được nhiệt độ lên đến 175 độ C. Thiết bị cũng có thể hoạt động tốt ở tần số chuyển mạch 10kHz.

Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet H25R1203

Sơ đồ chân

IGBT H25R1203 gồm có 3 chân được đánh số như sau:

Chân 1: Emitter (E) - Đây là chân kết nối đến lớp bán dẫn emitter của IGBT, nơi dòng điện ra khỏi IGBT.

Chân 2: Collector (C) - Đây là chân kết nối đến lớp bán dẫn collector của IGBT, nơi dòng điện vào IGBT.

Chân 3: Gate (G) - Đây là chân kết nối đến cổng điều khiển của IGBT, được sử dụng để điều khiển dòng điện qua IGBT bằng cách đặt điện áp gate-emitter (Vge).

Thay thế tương đương

Một số thay thế tương đương của IGBT H25R1203 là:

IGBT H25R1202: Đây là một phiên bản IGBT có đặc tính tương đương, nhưng có dòng định mức thấp hơn (40A thay vì 50A).

IGBT FGA25N120: Đây là một loại IGBT của hãng Fairchild Semiconductor với đặc tính tương đương, bao gồm điện áp định mức 1200V và dòng định mức 50A.

IGBT IXGH25N120: Đây là một loại IGBT của hãng IXYS Corporation có đặc tính tương đương, bao gồm điện áp định mức 1200V và dòng định mức 50A.

Tuy nhiên, trước khi thay thế, người dùng cần phải kiểm tra và đảm bảo thiết bị có đặc tính kỹ thuật và tính năng tương đương để đảm bảo hoạt động đúng và ổn định của mạch điện.

Các ứng dụng

IGBT H25R1203 là một linh kiện điện tử công suất được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau bao gồm:

Điều khiển motor: thiết bị có khả năng chịu được dòng điện và điện áp cao, nên được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng điều khiển động cơ, bao gồm máy bơm, máy nén khí, máy đóng gói, máy cắt,...

Hệ thống năng lượng mặt trời: thiết bị được sử dụng trong các hệ thống điện năng lượng mặt trời để điều khiển dòng điện điều chỉnh từ tấm pin mặt trời sang hệ thống lưu trữ năng lượng và hệ thống inverter.

Điều khiển đèn: thiết bị được sử dụng trong các ứng dụng điều khiển đèn, bao gồm đèn đường, đèn pha, đèn LED,...

Các hệ thống tải điện: thiết bị được sử dụng trong các hệ thống tải điện, bao gồm các thiết bị công nghiệp, hệ thống chuyển đổi điện năng và các thiết bị tự động hóa.

Với các tính năng vượt trội của mình như khả năng chịu được điện áp và dòng điện cao, độ bền và độ tin cậy, thiết bị này được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng công nghiệp và gia đình.