Cách mắc transistor

Trong bài hướng dẫn về transistor này, chúng ta sẽ tìm hiểu về các cách mắc transistor khác nhau. Vì transistor BJT là thiết bị 3 cực, nên có thể có ba cách mắc khác nhau của BJT. Hiểu các cách mắc khác nhau này sẽ giúp bạn triển khai ứng dụng của mình tốt hơn. 

Chúng ta biết rằng transistor thường có ba cực - cực phát (E), cực gốc (B) và cực thu (C). Nhưng khi mắc mạch, chúng ta cần bốn cực, hai cực cho đầu vào và hai cực khác cho đầu ra. Để khắc phục vấn đề này, chúng ta sử dụng một cực chung cho cả đầu vào và đầu ra.

Sử dụng tính chất này, chúng ta xây dựng các cách mắc transistor. Nói chung có 3 cách mắc khác nhau là mắc cực gốc chung (CB), cực thu chung (CC) và cực phát chung (CE).

Tính chất của 3 cách mắc như sau:

Mặc cực gốc chung (CB): không tăng dòng nhưng tăng điện áp

Mắc cực thu chung (CC): tăng dòng nhưng không tăng điện áp

Mắc cực phát chung (CE): tăng dòng điện và tăng điện áp

Cách mắc cực gốc chung

Trong cách mắc này này, chúng ta sử dụng cực gốc làm cực chung cho cả tín hiệu đầu vào và đầu ra. Bản thân tên của nó đã cho biết cực chung. Ở đây đầu vào đặt giữa các cực gốc và cực phát và tín hiệu đầu ra tương ứng được lấy giữa các cực gốc và cực thu với cực gốc được nối đất. Ở đây các thông số đầu vào là VEB và IE và các thông số đầu ra là VCB và IC. Dòng điện đầu vào đi vào cực phát phải cao hơn dòng điện cực gốc và dòng điện cực thu để vận hành transistor, do đó dòng điện cực thu đầu ra nhỏ hơn dòng điện cực phát đầu vào.

Các tín hiệu đầu vào và đầu ra là cùng pha trong cấu hình này. Cấu hình mạch khuếch đại kiểu này được gọi là mạch khuếch đại không đảo. Việc xây dựng mạch cấu hình này khó vì loại này có giá trị độ tăng điện áp cao.

Mạch cực gốc chủ yếu được sử dụng trong các mạch khuếch đại giai đoạn đơn, chẳng hạn như tiền khuếch đại hoặc khuếch đại tần số vô tuyến ở microphone vì đáp ứng tần số cao. 

Cách mắc cực thu chung

Trong cách mắc này, chúng ta sử dụng cực thu chung cho cả tín hiệu đầu vào và đầu ra. Cấu hình này còn được gọi là cấu hình theo cực phát vì điện áp của cực phát theo điện áp cực gốc. Cách mắc này chủ yếu được sử dụng làm bộ đệm. Nó được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng kết hợp trở kháng vì trở kháng đầu vào cao.

Trong cách mắc này, tín hiệu đầu vào được đặt giữa vùng cực gốc - cực thu và đầu ra được lấy từ vùng cực phát - cực thu. Ở đây các tham số đầu vào là VBC và IB và các tham số đầu ra là VEC và IE. Cách mắc cực thu chung có trở kháng đầu vào cao và trở kháng đầu ra thấp. Các tín hiệu đầu vào và đầu ra cùng pha. Ở đây cũng có dòng phát bằng tổng của dòng thu và dòng gốc. 

Cách mắc cực phát chung

Trong cách mắc này, chúng ta sử dụng cực phát làm cực chung cho cả đầu vào và đầu ra. Cách mắc này tạo nên mạch khuếch đại đảo ngược. Ở đây đầu vào được đặt giữa vùng cực gốc - cực phát và đầu ra được lấy giữa cực thu và cực phát. Trong cách mắc này, các tham số đầu vào là VBE và IB và các tham số đầu ra là VCE và IC.

Cách mắc này chủ yếu được sử dụng trong các ứng dụng của bộ khuếch đại dựa trên transistor. Trong cách mắc này, dòng phát bằng tổng của dòng gốc nhỏ và dòng thu lớn, tức là IE = IC + IB. Chúng ta biết rằng tỷ lệ giữa dòng thu và dòng phát cho ra độ tăng dòng alpha trong cách mắc cực gốc chung, tương tự như tỷ lệ giữa dòng thu và dòng gốc cho độ tăng dòng beta trong cách mắc cực phát chung.