2SC6011 hay C6011 là transistor công suất NPN có khả năng tăng công suất bằng cách giảm điện trở nhiệt và cung cấp điện áp đánh thủng kiểu thác cao nhờ vào cách điều chỉnh kỹ thuật làm mỏng wafer độc đáo. Khả năng xử lý điện năng cao của gói TO-3P cho phép thiết kế bảng mạch nhỏ hơn. Transistor này rất phù hợp với không chỉ các ứng dụng đa kênh cho bộ khuếch đại và bộ thu AV (nghe nhìn), mà còn các ứng dụng kết nối song song cho bộ khuếch đại PA (hệ thống âm thanh chuyên nghiệp).
>>> Quý khách hàng cần đặt linh kiện vui lòng tham khảo tại ĐÂY
Loại: NPN
Điện áp cực góp cực phát tối đa: 200 V
Điện áp cực góp cực gốc tối đa: 200 V
Điện áp cực phát cực gốc tối đa: 6 V
Dòng cực góp liên tục tối đa: 15 A
Tiêu thụ cực góp: 160 W
Độ lợi dòng điện DC (hfe): 50 đến 180
Tần số chuyển đổi tối thiểu: 20 MHz
Phạm vi nhiệt độ vận hành và lưu trữ: -55 đến +150 ° C
Đóng gói: TO-3P
Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet 2SC6011
Hướng transistor phía trước mặt với các chân hướng xuống dưới thì sơ đồ chân theo thứ tự từ trái qua phải lần lượt là chân B, chân C và chân E.
Transistor 2SC6011 có thể có độ lợi dòng điện từ 50 đến 180. Độ lợi của 2SC6011-O sẽ nằm trong phạm vi từ 50 đến 100, đối với 2SC6011-P sẽ nằm trong phạm vi từ 70 đến 140, đối với 2SC6011- Y nó sẽ nằm trong khoảng từ 90 đến 180.
Đôi khi tiền tố 2S không được ký hiệu trên gói nên 2SC6011 chỉ có thể được ký hiệu là C6011.
Transistor PNP bổ sung cho 2SC6011 là 2SA2151.
Bạn có thể thay thế 2SC6011 bằng 2SC3320, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SD1313, MJW3281A hoặc MJW3281AG.
Hotline: 0979 466 469