Transistor B649 2SB649

2SB649 là gì

2SB649 hay B649 là transistor PNP silicon, điện áp cực góp cực phát là 120V, dòng điện cực góp là 1.5A, được ứng dụng trong tần số âm thanh, transistor công suất, công tắc, transistor video.

>>> Quý khách hàng cần đặt mua linh kiện vui lòng tham khảo tại ĐÂY

Đặc tính thông số kỹ thuật

Loại: PNP

Điện áp cực góp cực phát: -120 V

Điện áp cực góp cực gốc: -180 V

Điện áp cực phát cực gốc: -5 V

Dòng điện cực góp: -1,5 A

Tiêu thụ cực góp: 20 W

Độ lợi dòng điện DC (hfe): 60 đến 320

Tần số chuyển đổi: 140 MHz

Phạm vi nhiệt độ vận hành và lưu trữ: -55 đến +150 ° C

Đóng gói: TO-126

Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet 2SB649

Sơ đồ chân

Hướng transistor phía trước mặt với các chân hướng xuống dưới thì sơ đồ chân theo thứ tự từ trái qua phải lần lượt là chân E, chân C và chân B.

Phân loại hFE

Transistor 2SB649 có độ lợi dòng điện từ 60 đến 320. Độ lợi của 2SB649-B sẽ nằm trong phạm vi từ 60 đến 120, đối với 2SB649-C sẽ nằm trong phạm vi từ 100 đến 200, đối với 2SB649- D nó sẽ nằm trong khoảng từ 160 đến 320.