PDTD123YT là transistor được trang bị điện trở NPN (RET) trong một gói nhỏ bằng nhựa SOT23 (TO-236AB) Thiết bị gắn trên bề mặt (SMD).
Transistor trang bị điện trở 500 mA, 50 V NPN; R1 = 2,2 kΩ, R2 = 10 kΩ
Linh kiện bổ sung PNP: PDTB123YT
Điện trở phân cực tích hợp
Đơn giản hóa thiết kế mạch
Khả năng dòng điện đầu ra 500 mA
Giảm số lượng thành phần
Giảm chi phí chọn và đặt
± 10% dung sai tỷ lệ điện trở
Chi tiết thông số kỹ thuật tham khảo datasheet PDTD123YT
Ứng dụng kỹ thuật số trong phân khúc công nghiệp
Kiểm soát đầu vào IC
Tiết kiệm chi phí thay thế cho dòng BC817 trong các ứng dụng kỹ thuật số
Chuyển đổi tải