MosFet Kênh N BSP126
Mã sản phẩm:
1901-0347
Thời gian cập nhật:
15 - 09 - 2023
Số lần xem: 292 Lượt mua: 0
Chi nhánh:
Hết hàng
YC báo giá
BSP126 là gì
BSP126 là transistor hiệu ứng trường (FET) chế độ tăng cường kênh N mức logic trong gói nhựa sử dụng công nghệ D-MOS dọc. Sản phẩm này được thiết kế và đủ tiêu chuẩn để chỉ sử dụng trong các ứng dụng điện toán, truyền thông, tiêu dùng và công nghiệp.
Đặc tính thông số kỹ thuật
Giao diện trực tiếp tới C-MOS, TTL, v.v.
Chuyển đổi tốc độ cao
Không có sự cố thứ cấp.
Điện áp drain source VDS (DC) - 250 V
Dòng drain ID (DC) - 375 mA
Tổng công suất tiêu tán Ptot Tamb 25 °C − 1,5 W
Điện trở trạng thái bật drain source RDSon ID = 300 mA; VGS = 10V 2,8 5 Ω
Điện áp ngưỡng gate source VGSth ID = 1 mA; VDS = VGS - 2 V
Chi tiết tham khảo datasheet BSP126
Các ứng dụng
• Bộ ngắt dòng điện trong bộ điện thoại
• Trình điều khiển rơ-le, tốc độ cao và biến áp đường dây.
- Hàng luôn được kiểm tra kỹ trước khi giao nên lúc đặt hàng online khi nhận được hàng quý khách có thể kiểm tra nếu không vừa lòng có thể hoàn trả.
- Hàng được kiểm tra trực tiếp khi quý khách mua hàng offline.
- Sản phẩm nếu nằm trong danh mục bảo hành sẽ có tem ghi ngày bắt đầu và ngày kết thúc bảo hành trên sản phẩm.
- Đối với các sản phẩm điện tử là module các loại, chúng tôi không có chính sách bảo hành nhưng sẽ có video test sản phẩm trước khi giao cho quý khách.
Sản phẩm cùng loại
