2SC3356 là transistor epitaxial silicon NPN được thiết kế để khuếch đại tiếng ồn thấp ở băng tần VHF, UHF và CATV.

Nó có dải động và đặc tính dòng điện tốt.

Đặc tính 2SC3356

• Tiếng ồn thấp và độ lợi cao

NF = 1,1 dB TYP., Ga = 11 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1,0 GHz

• Độ lợi công suất cao

MAG = 13 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1,0 GHz

Thông số kỹ thuật 2SC3356

Điện áp cực góp cực gốc VCBO 20 V

Điện áp cực góp cực phát VCEO 12 V

Điện áp cực phát cực gốc VEBO 3.0 V

Dòng cực góp IC 100 mA

Tổng công suất tiêu thụ PT 200 mW

Nhiệt độ mối nối Tj 150 C

Nhiệt độ bảo quản Tstg 65 đến +150 C

Sơ đồ chân 2SC3356

Hướng transistor phía trước mặt với một chân hướng lên và 2 chân hướng xuống, hai chân hướng xuống theo thứ tự từ trái qua phải là chân E và chân B, chân hướng lên là chân C.

Ứng dụng

Bộ khuếch đại tiếng ồn thấp ở băng tần VHF, UHF và CATV